Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
  
  
  
  

Применение низкотемпературной газовой плазмы в технологии микро- и наноэлектроники

Авторы:Путря М.Г.
Голишников А.А.

Описание курса

Целью дисциплины является изучение и практическое освоение слушателями базовых знаний в области плазменных технологий травления, получения тонких пленок и ионной имплантации; особенностей их применения при изготовлении изделий микро- и наноэлектроники. В результате изучения дисциплины слушатели должны: - знать основные понятия и определения низкотемпературной плазмы; элементарные процессы, протекающие в плазме и на пограничных поверхностях; основные методы генерации низкотемпературной плазмы и типы газовых разрядов; методы диагностики параметров плазмы; общие закономерности движения заряженных частиц в вакууме, в электрическом и магнитном полях; основные вакуумно-плазменные процессы, используемые в производстве ИС; конструктивные решения технологического вакуумно-плазменного оборудования и методы формирования функциональных слоев ИС и конструктивных элементов полупроводниковых приборов с применением вакуумно-плазменных процессов; особенности процессов плазменного травления различных функциональных слоев и получения тонких пленок при изготовлении изделий микро- и наноэлектроники; современные достижения отечественной и зарубежной науки и техники в области применения плазменных разрядов в микро- и наноэлектронике. - уметь составлять краткие технологические маршруты изготовления различных элементов ИС с использованием вакуумно-плазменных процессов; планировать проведение исследований по влиянию операционных параметров на технологические характеристики плазменных процессов; сравнивать различные вакуумно-плазменные методы, используемые при формировании функциональных слоев ИС; пользоваться контрольно-измерительными приборами для определения операционных параметров вакуумно-плазменных процессов; систематизировать и обобщать полученные в ходе исследований экспериментальные данные. - иметь опыт измерения и расчета основных технологических параметров плазменных процессов изготовления ИС; определения основных операционных параметров при проведении плазменных процессов травления и осаждения тонких пленок. - иметь представление об особенностях применения средств и приборов вакуумной техники и плазменных источников; об особенностях проведения технологических операций, использующих низкотемпературную газовую плазму; о тенденциях и перспективах развития плазменных источников и вакуумно-плазменных технологий, применяемых в производстве интегральных схем.