Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти
  
  
  
  

Плазменные технологии в наноэлектроники (ПТНЭ)

Авторы:Проф., д.т.н. Путря Михаил Георгиевич
Голишников Александр Анатольевич, доцент, к.т.н.

Описание курса

Целью дисциплины «Плазменные технологии в наноэлектронике» является изучение и практическое освоение слушателями базовых знаний в области плазменных технологий травления, получения тонких пленок и ионной имплантации; особенностей их применения при изготовлении изделий микро- и наноэлектроники.

В результате изучения дисциплины слушатели должны:

- знать

основные понятия и определения низкотемпературной плазмы;

элементарные процессы, протекающие в плазме и на пограничных поверхностях;

основные методы генерации низкотемпературной плазмы и типы газовых разрядов;

методы диагностики параметров плазмы;

общие закономерности движения заряженных частиц в вакууме, в электрическом и магнитном полях;

основные вакуумно-плазменные процессы, используемые в производстве ИС;

конструктивные решения технологического вакуумно-плазменного оборудования и методы формирования функциональных слоев ИС и конструктивных элементов полупроводниковых приборов с применением вакуумно-плазменных процессов;

особенности процессов плазменного травления различных функциональных слоев и получения тонких пленок при изготовлении изделий микро- и наноэлектроники;

современные достижения отечественной и зарубежной науки и техники в области применения плазменных разрядов в микро- и наноэлектронике.

- уметь

составлять краткие технологические маршруты изготовления различных элементов ИС с использованием вакуумно-плазменных процессов;

планировать проведение исследований по влиянию операционных параметров на технологические характеристики плазменных процессов;

сравнивать различные вакуумно-плазменные методы, используемые при формировании функциональных слоев ИС;

пользоваться контрольно-измерительными приборами для определения операционных параметров вакуумно-плазменных процессов;

систематизировать и обобщать полученные в ходе исследований экспериментальные данные.

- иметь опыт

измеренияирасчета основных технологических параметров плазменных процессов изготовления ИС;

определения основных операционных параметров при проведении плазменных процессов травления и осаждения тонких пленок.

- иметь представление

об особенностях применения средств и приборов вакуумной техники и плазменных источников;

об особенностях проведения технологических операций, использующих низкотемпературную газовую плазму;

о тенденциях и перспективах развития плазменных источников и вакуумно-плазменных технологий, применяемых в производстве интегральных схем.

Курс состоит из 6 разделов, в том числе 6 теоретических (лекционных) занятий и 3 лабораторных работ. Для каждого раздела приведены контрольные вопросы и тестовые задания.