В стенах МИЭТа в мае прошли два международных мероприятия в области микроэлектроники
14 мая состоялся научно-технологический семинар «СВЧ микросхемы: где миф, а где реальность», организаторами которого выступили МИЭТ и ООО «Планар» — производитель отечественного измерительного СВЧ оборудования.
В начале мероприятия к участникам со вступительным словом обратился проректор МИЭТ по научной работе Алексей Дронов, после чего с докладами выступили представители ведущих организаций в области СВЧ микроэлектроники, в том числе гость из Индии. Всего в семинаре приняло участие более 100 гостей из множества регионов России и Беларуси. В течение дня обсуждались аспекты моделирования, проектирования и производства СВЧ микросхем, текущее состояние дел в отрасли и перспективы развития. Модератором мероприятия выступил Юрий Мелёшин, заместитель директора по образовательной деятельности, доцент Института микроприборов и систем управления имени Л.Н. Преснухина (Институт МПСУ).
Серию докладов открыл директор по развитию ООО «ПЛАНАР» Сергей Суконкин, представив измерительный комплекс LOAD PULL ПЛАНАР и аргументировав важность измерений СВЧ компонентов для последующих экстракции модели и проектирования.
О методике исследования нагрузочных характеристик GaN HEMT-транзисторов рассказал заместитель директора дизайн-центра приёмопередающей ЭКБ и РЭА АО «ЭНПО СПЭЛС» Константин Амбуркин, после чего руководитель отдела разработки моделей 50ohm Technologies Артём Попов обозначил современные требования к разработке и функциональности моделей СВЧ-транзисторов для проектирования интегральных схем.
Доцент Национального Института Технологий (NIT) города Сринагар Шейх Аамир Ашхан представил подход к моделированию GaN-устройств на примере ASM модели. Эту линию продолжил ведущий инженер-конструктор АО «Светлана-Рост» Иван Шуков, рассказав о ключевых аспектах кристального производства мощных СВЧ-транзисторов на основе GaN в АО «Светлана-Рост» в 2026 году.
Представитель АО «НПП «Исток» им. Шокина» Константин Дудинов поделился опытом проектирования сквозных отверстий для СВЧ МИС, главный конструктор АО «Светлана-Рост» Олег Фазылханов рассказал об оценке критериев отбора кристаллов с учётом изменчивости стандартного технологического процесса, а особенности корпусирования тонких кристаллов GaAs и GaN в QFN корпусах осветил Уханов А.В., начальник комплекса АО «ЗАСЛОН».
Руководитель научного отдела 50ohm Technologies к.т.н. Андрей Сальников вынес на обсуждение актуальный вопрос, который сегодня звучит во всех отраслях: «Проектирование СВЧ интегральных схем — человек или алгоритм?».
В заключительном блоке докладов директор дизайн центра приемопередающей ЭКБ и РЭА, АО «ЭНПО СПЭЛС», к.т.н Николай Усачев рассказал об особенностях разработки усилительных изделий на основе GaN HEMT-транзисторов в условиях контрактного производства, а инженер ФГУП «НПП «ГАММА» Дрозденко Евгений поднял тему «Ряд октавных МИС перестраиваемых полосовых фильтров в диапазоне рабочих частот 1,5...40 ГГц». Также не обошли стороной вопрос использования ИИ-агентов в разработке СВЧ-электроники, своими мыслями на этот счёт поделился представитель ООО «Новые технологии» Алексей Будяков.
15 мая в МИЭТе прошла секция «Микроэлектроника» международной конференции IEEE USBERIET, на которой было представлено 23 научных доклада по основным направлениям микроэлектроники: «Материалы и технологические процессы в микроэлектронике»; «Инструменты и технологии проектирования интегральных схем (в том числе САПР и в том числе СВЧ микросхемы в части технологий)» и «Технологическое оборудование и процессы производства микроэлектроники». Руководителем и модератором секции выступил Юрий Мелёшин, доцент Института МПСУ.
В конце работы секции три лучших доклада были отмечены призами от партнёров конференции — ООО «Планар» и АО «Инфостера». Их получили Илья Прудаев (АО «НИИМЭ»), Анастасия Михеева (АО «Дизайн Центр «Союз») и Даниил Краснокутский (АО «НИИМЭ»).
