Старая версия сайта доступна по ссылке http://old.miet.ru Перейти

Кафедра интегральной электроники и микросистем

Заведующий кафедрой: академик РАН, д.т.н., профессор Юрий Александрович Чаплыгин
Телефон:(499) 720-87-24, Факс:(499) 710-19-65, Внутренний телефон:29-24, 25-95
Аудитория:4238

Научная работа

Основные направления научной деятельности кафедры и их результаты

Физика и технология интегральной электроники и микросистем. Научный руководитель – чл.- корр. РАН, д.т.н., проф. Чаплыгин Ю.А.

Разработана методика приборно-технологического моделирования, позволяющая исследовать возможность расширения области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов ИСИС.

Разработана вычислительная модель для расчета мощных КНИ МОП-транзисторов, позволяющая расширить ОБР мощного прибора без существенного ухудшения его основных электрических характеристик.

Проведено экспериментальное исследование и моделирование тепловых свойств мощного прибора, а также распределения температуры по площади кристалла интеллектуальной силовой ИС (ИСИС) при работе мощного прибора, что позволяет оптимизировать топологию расположения элементов схемы.

Разработана оптимизированная конструкция и технологический маршрут формирования мощного элемента ИСИС, позволившие расширить его ОБР по напряжению на 20%, а по току более чем в 2 раза.

Разработана вычислительная модель структур двухколлекторного биполярного магнитотранзистора (ДКБМТ), методика их комплексного исследования с помощью приборно-технологического моделирования.

Проведены теоретические исследования по разработке методики оценки энергетической эффективности и определения параметров адиабатических логических вентилей и источников питания, направленные на создание универсальной энергетической модели микроэлектронной энергоэффективной системы обработки информации. Проведена классификация способов построения высокоэффективных микроэлектронных систем по видам диссипации энергии, выявлены наиболее перспективные варианты.

Исследован метод травления в низкотемпературной газовой плазме для формирования глубоких анизотропных структур в кремнии, разработана физико-химическая модель, описывающая взаимосвязь между технологическими параметрами и операционными характеристиками данного процесса при формировании трехмерных структур.

Разработан метод создания наноконтактов на основе диспергирования сверхтонких металлических пленок.

Предложена уточненная физико-химическая модель процесса локального зондового окисления проводящих образцов, учитывающая приборное ограничение значения протекающего тока в системе проводящий кантилевер – проводящий образец. Разработан метод создания кантилевера со сверхтонким проводящим покрытием на основе газофазной карбидизации вольфрама. Из анализа теоретического представления и результатов экспериментального исследования процесса локального зондового окисления выявлены свойства металлов, определяющие кинетику процесса.

Нанотехнологии на основе методов сканирующей зондовой микроскопии. Научный руководитель – д.т.н., проф. Шевяков В.И.

Разработаны оригинальные технологии создания микрозондов (кантилеверов) со специальными покрытиями (проводящими и магнитными) для сканирующей зондовой микроскопии.

Разработана технология нанолитографии на основе процесса локального зондового окисления, обеспечивающая разрешение менее 10 нм.

Разработаны усовершенствованные методики проведения измерений на основе основных методов сканирующей зондовой микроскопии.

Плазменные технологии для формирования 3-х мерных структур интегральных схем и микросистем. Научный руководитель – д.т.н., проф. Путря М.Г.

Получены научные основы плазменной обработки наноразмерных структур кремния и кремнийсодержащих материалов в высокоплотной плазме.

Проведена модернизация реактора трансформаторно-связанной плазмы для травления наноразмерных элементов путем ввода магнитной системы.

Выявлены особенности воздействия высокоплотной плазмы, получаемой в реакторах индуктивно- и трансформаторно-связанной плазмы, на обрабатываемые структуры.

Разработана физическая модель процесса плазменного травления при формировании наноразмерных элементов.

Разработаны процессы плазменного травления кремния (поликремния) для формирования Si (Si*) наноструктур, использующиеся для создания нанопроволочных полевых транзисторов.

Разработан метод формирования кремниевых микроструктур с высоким аспектным отношением (A>50) в двухстадийном, циклическом процессе травление/пассивация.

Исследован процесс глубокого плазменного травления кремния и установлены корреляционные зависимости между основными технологическими характеристиками (скоростью, профилем травления, селективностью) процесса с его операционными параметрами (ВЧ-мощностью и расходом рабочего газа (SF6) на стадии травления).

Оптимизирован и разработан процесс глубокого плазменного травления кремния с управляемым профилем травления для формирования сквозных отверстий, использующийся в технологии создания трехмерных интегральных схем и систем.

Схемотехника СВЧ ИС и систем на кристалле. Научный руководитель – д.т.н., проф. Тимошенков В.П.

Разработана и исследована концепция применения СВЧ гетероструктурной элементной базы для сложных систем на кристалле в устройствах приема, передачи, измерения и обработки СВЧ аналоговой и цифровой информации совместно с традиционными КМОП схемами, основанная на использовании цифровых методов управления для адаптивной подстройки статических и динамических параметров блоков в случае недетерминированных внешних нагрузок и аналоговых систем с обратной связью для детерминированных нагрузок.

На основе разработанной концепции успешно реализовываны сложные СВЧ интегральные системы на кристалле.

Приборно-технологическое моделирование и проектирование интегральных элементов. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.

Разработаны способы повышения и прогнозирования технологичности производства изделий микро- и наноэлектроники методами приборно-технологического моделирования.

Разработаны маршруты приборно-технологического моделирования и оптимизации характеристик перспективной элементной базы микро-, наноэлектроники и микросистемной техники.

Выполнено исследование и проектирование перспективных структур и технологических процессов, в т.ч. вертикальных наноразмерных МОП-транзисторов с дельта-легированием в области канала, силовых МОП-транзисторов с улучшенными характеристиками.

Сформирован программный комплекс обеспечения технологичности проектируемых интегральных структур, проведены виртуальные эксперименты по исследованию и оптимизации формирования спейсеров в наноразмерных транзисторных структурах.

Проектирование энергоэффективной элементной базы цифровых интегральных схем. Научный руководитель – к.т.н., доц. Лосев В.В.

Исследованы физические принципы построения устройств обработки информации с предельно малым энергопотреблением на основе принципа термодинамической обратимости.

Разработаны схемотехнические способы построения элементной базы обработки информации с предельно малым энергопотреблением (доли аттоджоуля) на основе традиционного технологического базиса.

Разработаны принципы построения и методы схемотехнической реализации энергоэффективных источников питания резонансного типа и источников питания на основе ступенчатого перезаряда.

Разработаны методы автоматизированного проектирования энергоэффективной элементной базы на основе принципа термодинамической обратимости.

Разработаны и апробированы поведенческие высокоуровневые модели основных цифровых элементов для энергетической оптимизации и характеризации.

В области научных исследований кафедра имеет постоянное многолетнее сотрудничество с институтами Российской академии наук ИППМ РАН, ФТИ РАН, НИИСИ РАН, с НПК Технологический Центр МИЭТ и ведущими предприятиями отрасли – ОАО “Ангстрем”, ГУП НИИ Физических Проблем, и др.

Защита диссертаций

1. Козлов А.В. Исследование и разработка двухколлекторного биполярного магнитотранзистора с повышенной магниточувствительностью. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2009 г. Научный руководитель – к.т.н., проф. Парменов Ю.А.

2. Путря Ф.М. Исследование и разработка методов увеличения производительности многоядерных процессоров на основе комплекса аппаратных решений, повышающих эффективность коммутационной логики. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2009 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.

3. Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2010 г. Научный руководитель – чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Чаплыгин Ю.А.

4. Пьянков Е.С. Исследование механизмов температурной нестабильности и разработка специализированных интегральных схем высокоточной термостабилизации для сканирующей зондовой микроскопии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2010 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.

5. Сагунова И.В. Исследование и модификация наноструктур с использованием токовых режимов зондовой микроскопии и литографии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2010 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Шевяков В.И.

6. Артамонов Д.С. Исследование и разработка методов повышения производительности интегральных схем реконфигурируемых вычислительных систем. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2010 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Путря М.Г.

7. Эннс А.В. Исследование и разработка функциональных узлов интегральных контроллеров источников вторичного электропитания с высокой стабильностью выходного напряжения. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2011 г. Научный руководитель – к.т.н., проф. Парменов Ю.А.

8. Николаев А.В. Разработка и исследование логических схем на основе элементов конденсаторно-транзисторного типа. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2011 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.

9. Алексеев А.А. Исследование и разработка универсальных методов тестирования IР блоков систем на кристалле на базе микропроцессорных ядер. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2012 г. Научный руководитель – к.т.н., доц. Шишина Л.Ю.

10. Мухин И.И. Исследование и разработка методов проектирования полупроводниковых фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2012 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.

11. Лобанова А.Ю. Исследование и разработка методов снижения энергопотребления при проектировании микропроцессорных СБИС. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2012 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Крупкина Т.Ю.

12. Селецкий А.В. Исследование и разработка конструктивно-технологических методов повышения радиационной стойкости глубоко –субмикронных СБИС с помощью средств приборно-технологического моделирования. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2012 г. Научный руководитель – д.т.н. Шелепин Н.А.

13. Тимошенков В.П. Схемотехника СВЧ-систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов. Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук, 2013 г. Научный консультант – д.т.н., проф. Старосельский В.И.

14. Черемисинов А.А. Исследование и разработка трехколлекторного биполярного магнитотранзистора с низким коллекторным разбалансом для работы в слабых и переменных магнитных полях. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2013 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Королев М.А.

15. Лосев В.В.Теория и методы создания элементной базы интегральных адиабатических цифровых устройств с предельно малым энергопотреблением. Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук, 2014 г. Научный консультант – чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Чаплыгин Ю.А.

16. Краснобородько С. Ю. Исследование и разработка комплекса методик для совершенствования функциональных и точностных характеристик атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2014 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Шевяков В.И.

17. Сафонов С.О. Исследование и разработка неразрушающих ускоренных методов прогнозирования электромиграционной стойкости металлической разводки интегральных схем. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2014 г. Научный руководитель – д.т.н., проф. Путря М.Г.

18. Ермаков И.В. Исследование и разработка электрически перепрограммируемой энергонезависимой памяти на основе КМОП-технологии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2015 г. Научный руководитель – д.т.н. Шелепин Н.А.

19. Орлов Д.В. Исследование и разработка методов проектирования сложно-функциональных блоков помехоустойчивых цифровых интегральных схем на основе системы кодирования 1 из 4. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2016 г. Научный руководитель – д.т.н., доц. Лосев В.В.

Проекты

Федеральные целевые программы

1. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Разработка методов проектирования быстродействующей элементной базы и систем на кристалле с низкой потребляемой мощностью для перспективных устройств приема/передачи аналоговой и цифровой информации», научный руководитель — Чаплыгин Ю.А., 2009 г. ГК № 02.740.11.0012.

2. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Исследование методов проектирования наноразмерной электронной компонентной базы на основе параметризованных библиотечных элементов с ультранизкой потребляемой мощностью», научный руководитель — Крупкина Т.Ю., 2009 г., ГК № П511.

3. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Разработка технологических решений создания контактной металлизации полупроводниковых приборов и ИС с нанометровыми топологическими нормами», научный руководитель — Шевяков В.И., 2010 г., ГК № 16.740.11.0431

4. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Исследование принципов создания трехмерных интегральных схем на основе низкотемпературных технологий», научный руководитель — Путря М.Г., 2010 г., ГК № П671

5. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Исследование и разработка энергоэффективных микроэлектронных цифровых устройств на основе принципа регенерации избыточной энергии», научный руководитель — Чаплыгин Ю.А., 2010 г. ГК № 16.740.11.0563.

6. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Исследование перспективных способов формирования транзисторных МДП структур с улучшенными характеристиками области канала», научный руководитель — Балашов А.Г., 2009 г. ГК № П1318

7. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Исследование и разработка магниточувствительных элементов с высокой чувствительностью для использования в составе преобразователей магнитного поля в ИС и микросистемах», научный руководитель Козлов А.В., 2010 г. ГК № 16.740.11.0272

8. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Исследование и разработка энергоэффективных и технологически независимых способов питания элементов ИС и систем на кристалле для устройств с пониженным энергопотреблением», научный руководитель — Лосев В.В., 2010 г. ГК № П1318

9. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Исследование механизмов температурной нестабильности и разработка специализированных интегральных схем высокоточной термостабилизации для сканирующего зондового микроскопа», научный руководитель — Пьянков Е.С., 2011 г. ГК № 16.740.11.0725

10. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Исследование и оптимизация схемотехнических решений построения энергоэффективных микроэлектронных систем обработки цифровой информации», научный руководитель — Ведерникова О.И., 2011 г. ГК № 14.740.11.1334.

11. ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы «Исследование и оптимизация схемотехнических решений построения интегральных фазовращателей для приемо-передающих модулей АФАР», научный руководитель — Мухин И.И., 2011 г. ГК № 14.740.11.1262.

12. ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы», тема ПНИЭР "Разработка конструкций и технологии изготовления трехмерных интегральных структур, повышающих эффективность холодной эмиссии в устройствах микровакуумной техники", научный руководитель - Чаплыгин Ю.А., Соглашение о предоставлении субсидии от «26» сентября 2016 г. № 14.578.21.0219. Презентация с результатми выполнения НИР

Гранты президента РФ

1. «Исследование и разработка энергоэффективных способов питания элементов ИС и систем на кристалле для портативных устройств с пониженным энергопотреблением», научный руководитель –Лосев В.В., 2010-2011 г.

2. «Исследование и разработка конструктивно-технологических решений увеличения стойкости КНИ интеллектуальных мощных ИС к перегреву», научный руководитель – Красюков А.Ю., 2008-2009 г.

3. «Исследование и разработка структуры планарного магнитотранзистора с повышенной чувствительностью для использования в составе преобразователей магнитного поля методами приборно-технологического моделирования», научный руководитель – Козлов А.В., 2012-2013 г.

4. «Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания СВЧ кремний-германиевого гетеропереходного биполярного транзистора для интеграции в КМОП маршрут», научный руководитель – Балашов А.Г., 2013-2014 г.

5. «Разработка численной модели для расчета электрических характеристик современных МДП-транзисторов», научный руководитель – Красюков А.Ю., 2013-2014 г.

6. Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей «Исследование и разработка физико-технологических методов создания, диагностики и приборно-технологического моделирования элементов микро- и наноэлектроники», научный руководитель — Чаплыгин Ю.А., 2014-2015 г.

7. Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей «Исследование и разработка физико-технологических методов создания, диагностики и приборно-технологического моделирования элементов микро- и наноэлектроники», научный руководитель — Чаплыгин Ю.А., 2012-2014 г.

Гранты Российского фонда фундаментальных исследований

1. «Исследование механизмов взаимодействия низкотемпературной газоразрядной плазмы с поверхностью твердого тела при формировании наноразмерных структур», научный руководитель — Чаплыгин Ю.А., 2013-2015 г.

Научно-исследовательские работы по тематическому плану вуза

1. «Исследование и моделирование процессов диссипации энергии в энергоэффективных системах обработки информации», научный руководитель – Крупкина Т.Ю., 2011-2013.

2. «Исследование физико-химических процессов и механизмов формообразования наноразмерных высокоаспектных структур плазменными методами», научный руководитель – Путря М.Г., 2011-2013.

3. «Исследование локального зондового окисления ковалентных полупроводников и наноразмерных металлических слоев», научный руководитель – Чаплыгин Ю.А., 2011-2013.

4. «Исследование и разработка методов и маршрутов проектирования энергоэффективной элементной базы для быстродействующих устройств обработки аналоговой и цифровой информации на основе трехмерных вертикально-интегрированных структур», научный руководитель – Чаплыгин Ю.А., 2014-2016.

Преподавателями кафедры за последние 5 лет опубликовано более 200 научных работ, в том числе:

  1. Белов А.Н., Демидов Ю.А., Васильев А.А., Голишников А.А., Путря М.Г. Нанопрофилирование кремния с использованием твердой маски оксида алюминия и комбинированного «сухого» травления // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М.: МИЭТ, 2009. – № 2. – С. 39 – 42.

  2. Гаврилов С.А., Дронов А.А., Шевяков В.И., Белов А.Н., Полторацкий Э.А. Пути повышения эффективности солнечных элементов с экстремально тонкими поглощающими слоями // Российские нанотехнологии. – М.: 2009. – Т. 4. – С. 103 –109.

  3. Королев М.А., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Активные методы обучения на основе программных средств TCAD // Труды международной научно-технической конференции “Компьютерное моделирование - 2009”. – Санкт-Петербург, 2009. – С. 200 – 203.

  4. Belov A.N., Gavrilov S.A., Tikhomirov A.A., Chaplygin Yu. A., Shevyakov V.I. Test structures to determine tip sharpness // Nanotechnology in Russia, 2010. – V.5. – № 5-6. – P. 378 – 389.

  5. Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В. Анализ распределения заряда в интегральных наноразмерных КМДП-структурах // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М.: МИЭТ, 2010. – № 4 (84). – С. 89 – 90.

  6. 6. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Сагунова И.В., Тихомиров А.А., Чаплыгин ЮА., Шевяков В.И. Тестовая структура для определения радиуса кривизны микромеханических зондов сканирующей силовой микроскопии // Российские нанотехнологии. – 2010. – № 5-6. – С. 95-98.

  7. Чаплыгин Ю.А., Гаврилов С.А., Рыгалин Б.Н., Путря М.Г., Крупкина Т.Ю. Программы опережающей подготовки и переподготовки кадров для инвестиционных проектов ГК «Роснанотех» в области интегральной наноэлектроники // Труды международной научно-технической конференции и молодежной школы семинара «Нанотехнологии-2010». – Россия, Дивноморское, 19-24 сентября 2010. – ТТИ ЮФУ, 2010. – Ч. 2. – С. 268 – 269.

  8. Голишников А.А., Путря М.Г., Рыбачек Е.Н. Формирование наноразмерных
    структур методом плазменного травления // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М.: МИЭТ, 2011. – № 1(87). – С. 35 – 39.

  9. Чаплыгин Ю.А., Неволин В.К., Петухов В.А. Эффект охлаждения анода при автоэлектронной эмиссии с катода // Доклады академии наук. – 2011. - Т. 436. – № 2. - С. 1 – 3.

  10. Голишников А.А., Костюков Д.А., Путря М.Г. Исследование процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния в парогазовой смеси с пониженной полимеризационной способностью // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М.: МИЭТ, 2011. – № 3 (89) С. 14 - 19.

  11. Чаплыгин Ю.А., Артамонова Е.А., Красюков А.Ю. Зависимость теплового сопротивления мощного МОП-транзистора на подложке кремний-на-изоляторе от конструктивно-технологических параметров его структуры // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М.: МИЭТ, 2011. – № 5. – С. 44 – 47.

  12. Golishnikov A.A., Kostyukov D.A., Putrya M.G. Research and Development of Deep Anisotropic Plasma Silicon Etching Process to Form MEMS Structures // Russian Microelectronics. – 2012. - Vol. 41. - № 7. - P. 9 –13.

  13. Лосев В.В., Николаев А.В. Экспериментальное исследование энергетических характеристик элемента конденсаторно-транзисторного типа // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М.: МИЭТ, 2011. – № 6(92)'. – С. 76 – 77

  14. Chaplygin Y.A., A. Krasukov A.Y., Artamonova E.A. Dependence of the thermal resistance of a powerful MOSFET on a silicon-on-insulator substrate on the construction-technological parameters of its structure // Russian Microelectronics. – 2012. - Vol. 41. – P. 376 - 371.

  15. Лосев В.В., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Схемотехническая реализация блоков системы авторегулирования кольцевого адиабатического драйвера // Радиопромышленность– М., 2012. – Вып. 3. - С. 33 – 46.

  16. Крупкина Т.Ю., Лобанова А.Ю. Выбор методов энергосбережения для блоков микропроцессора с учетом быстродействия и занимаемой площади // Радиопромышленность.– М., 2012. – Вып. 3. - С. 107 – 113.

  17. Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В, Титова И.Н. Исследование взаимодействия интегрального биполярного транзистора с подложкой // Радиопромышленность.– М., 2012. – Вып. 3. - С. 123 – 131.

  18. Артамонова Е.А., Красюков А.Ю., Балашов А.Г., Крупкина Т.Ю., Голишников А.А., Путря М.Г., Тимошенков В.П., Шевяков В.И. под ред. Чаплыгина Ю.А. Нанотехнологии в электронике. - М.:Техносфера, 2013. - 688 с.

  19. Chaplygin Yu. A. and Shevyakov V.I. Investigation into the Effect of Cantilever Structural Parameters on the Sensitivity of Magnetic Force Microscopy. Nanotechnologies in Russia. - 2013. - Vol. 8. -– Issue 3 - 4. – Р. 186–190.

  20. Кислицин М.В., Королев М.А., Красюков А.Ю. Исследование процесса формирования пленки оксида кремния из раствора тетраэтоксисилана золь-гель методом // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – С. 17–21.

  21. Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям.- Известия высших учебных заведений. Электроника. – Т.21. - №2. - М.: МИЭТ, 2016. – С. 139-144

  22. Журавлев А.А., Крупкина Т.Ю., Эннс А.В., Эннс В.И. Особенности проектирования параметризованных аналоговых ячеек на основе согласованных КНИ матричных элементов. - Известия высших учебных заведений. Электроника. – Т.21. - №4. - М.: МИЭТ, 2016. – С. 325-332

  23. Kozlov A.V., Krasjukov A.Yu., Krupkina T.Yu., Chaplygin Yu.A. Simulation of Characteristics and Optimization of the Constructive and Technological Parameters of Integrated Magnetosensitive Elements in Micro and Nanosystems. - Russian Microelectronics.- Moscow.– 2016. №7.– Vol. 45.– pp. 489-496

  24. Карташёв С.С., Лосев В.В., Крупкина Т.Ю. Исследование и разработка схемы последовательного доступа к flash-памяти.- Известия высших учебных заведений. Электроника. – Т.21. - №5. - М.: МИЭТ, 2016. – С. 478-481

  25. Chaplygin Y., Krasukov A., Krupkina T., Mukhammedov A., Rodionov D. TCAD model of tunnel field effect transistor, integrated in basic SOI CMOS technology // The International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2016” (ICMNE-2016). - Zvenigorod, 2016. – 2016. – P. 207.

  26. Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Исследование электрических характеристик КМОП-КНИ-структур спроектными нормами 0.5 мкм для высокотемпературной электроники // VII Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2016».- Сборник научных трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. -М.: ИППМ РАН, 2016, ч.IV, с. 10-15.Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Одномерное приборно-технологическое моделирование элементов интегральных схем с использованием электронных таблиц // VII Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2016».- Сборник научных трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. -М.: ИППМ РАН, 2016, ч.IV, с. 24-31.

  27. Лосев В.В., Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г. Особенности процессов обработки и передачи информации в вычислительных устройствах // VII Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2016».- Сборник научных трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. -М.: ИППМ РАН, 2016, ч.II, с. 204-211.

  28. Козлов А.В., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Моделирование характеристик и оптимизация конструктивно-технологических параметров интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем. - Известия высших учебных заведений. Электроника. – Т.20. - №5. - М.: МИЭТ, 2015. – С. 489-496

  29. Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Разработка методов приборно-технологического моделирования элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям.// Тезисы докладов Международной научно-технической конференции «Электроника-2015», Зеленоград, 19-20 ноября 2015 г. – С. 31-32.

  30. E.A.Artamonova, A.S. Klyuchnikov, A.Yu. Krasukov, T.Yu. Krupkina, N.A. Shelepin. Calibration of numerical TCAD model for 180 nm SOI MOSFETs // Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development (MES). Proc. of VI All-Russia Science&Technology conference MES-2014. Extended abstracts. Part II.- P.40

  31. T.Yu. Krupkina, A.Yu. Krasukov, E.A.Artamonova. Numerical 1D - model for MIS-structures characterization // Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development (MES). Proc. of VI All-Russia Science&Technology conference MES-2014. Extended abstracts. Part II.- P.42

  32. Yu.A. Chaplygin, T.Yu. Krupkina, A.Yu. Krasukov, E.A.Artamonova. Influence of CMOS Hall effect sensor layout on its magnetic sensitivity // Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development (MES). Proc. of VI All-Russia Science&Technology conference MES-2014. Extended abstracts. Part II.- P.46

  33. Chaplygin Yu.A., .Krasyukov A.Yu., Krupkina T.Yu., .Rodionov D.V. TCAD models for ETSOI FET with undoped body // The International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2014” (ICMNE-2014). - Zvenigorod, 2014. – 2014. – P. 2-23.

  34. Artamonova Е.А., Klyuchnikov А.S., Krasyukov A.Yu., Krupkina T.Yu. TCAD calibration of nanoscale SOI MOSFETs // The International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2014” (ICMNE-2014). - Zvenigorod, 2014. – 2014. – P. 2-21.

  35. Артамонова Е.А., Ключников А.С., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Шелепин Н.А. Настройка численной модели для исследования транзисторных МОП-структур КНИ-типа с проектными нормами 180 нм в среде TCAD // VI Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2014».- Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л. Стемпковского. -М.: ИППМ РАН, 2014, с. 151-154.

  36. Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Исследование характеристик МДП-транзисторов и использованием одномерной модели // VI Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2014».- Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л. Стемпковского. -М.: ИППМ РАН, 2014, с. 159-162.

  37. Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Исследование влияния топологии КМОП-совместимого элемента Холла на его магниточувствительность // VI Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2014».- Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л. Стемпковского. -М.: ИППМ РАН, 2014, с. 179-184.

  38. Лосев В.В., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Схемотехнические способы реализации метода импульсной подкачки мощности в многофазных адиабатических драйверах резонансного типа. - Известия высших учебных заведений. Электроника. – М.: МИЭТ, 2013. – Т. 6 (104). – С. 76.

  39. Chaplygin Y., Krasjukov A., Krupkina T., Titova I. The mobility models for TCAD simulation of extremely thin nanoscale SOI MOSFETs // International conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012”.- October 1st –5th, 2012.-Moscow - Zvenigorod, Russia.- P. W2-08

  40. Krupkina T., Rodionov D. Advanced impact ionization current model for MOS devices including heat effects // International conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012”.- October 1st –5th, 2012.-Moscow - Zvenigorod, Russia.- P. O1-07

  41. Артамонова Е.А., Голишников А.А., Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В., Чаплыгин Ю.А… Модель учета рельефа границы раздела Si/SiO2 наноразмерного МДП-транзистора в среде TCAD Sentaurus // V Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2012».- Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л. Стемпковского. -М.: ИППМ РАН, 2012, с. 199-202.

  42. Лосев В.В., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А… Резонансный энергоэффективный драйвер // V Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2012».- Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л. Стемпковского. -М.: ИППМ РАН, 2012, с. 405-408.

  43. Лосев В.В., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Схемотехническая реализация блоков системы авторегулирования кольцевого адиабатического драйвера Радиопромышленность– М., 2012. – Вып. 3. - С. 33 – 46

  44. Крупкина Т.Ю., Лобанова А.Ю… Выбор методов энергосбережения для блоков микропроцессора с учетом быстродействия и занимаемой площади// Радиопромышленность– М., 2012. – Вып. 3. - С. 107 – 113

  45. Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В., Титова И.Н. Исследование взаимодействия интегрального биполярного транзистора с подложкой // Радиопромышленность– М., 2012. – Вып. 3. - С. 123 – 131

  46. Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В., Титова И.Н., Швец А.В. Учет рельефа границы раздела Si/SiO2 при моделировании наноразмерных МДП-транзисторов. Труды XIII международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». – Ульяновск: УлГу, 2011. – С. 454–455. (0,08 п.л.)

  47. Крупкина Т.Ю., Лосев В.В., Чаплыгин Ю.А. Новые методы построения микроэлектронных цифровых систем с низким энергопотреблением // В сб. трудов «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2010». – М.: ИППМ РАН, 2010. –С. 308 – 313.

  48. Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Исследование влияния конструктивно-технологических параметров мощных КНИ МОП - транзисторов на границы области безопасной работы приборов // В сб. трудов «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2010». – М.: ИППМ РАН, 2010. –С. 654 – 657.

  49. Крупкина Т.Ю., Пьянков Е.С., Алексеев А.А., Измайлов Д.А. Улучшение системы позиционирования в сканирующей зондовой микроскопии // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М.: МИЭТ, 2010. – Т. 4 (84). – С. 89-90.

  50. Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В. Анализ распределения заряда в интегральных наноразмерных КМДП-структурах// Известия высших учебных заведений. Электроника. – М.: МИЭТ, 2010. – № 4 (84). – С. 89 – 90

  51. Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В., Николаев А.В. Исследование процесса инжекции тока в подложку при переключении цифрового вентиля// Материалы конференции «Физические проблемы наноэлектроники, нанотехнологий и микросистем». – Ульяновск, 22 – 25 октября 2009, - М., 2010. – С. 42.

  52. Krupkina T.Y., Rodionov D.V. Research and device simulation of substrate noise distribution in digital integrated elements // Proceedings of International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM – 2009. - P. 26-28. (10th International Conf. and Sem. EDM'2009, sect. I, July 1-6, Erlagol, - Pp. 26 – 28.)

  53. Krupkina T., Rodionov D., Shvets A.,Titova I. The charge sharing inside the layers of nano- CMOS integrated structures under controllable substrate biasing// International conference “Micro- and nanoelectronics 2009”.- October 5th –9th, 2009.-Moscow - Zvenigorod, Russia.- P. O1-05.

  54. Krupkina T., Rodionov D. Research of current injection process in to the substrate during digital gate switching // International conference “Micro- and nanoelectronics 2009”.- October 5th –9th, 2009.-Moscow - Zvenigorod, Russia.- P. O2-10.

  55. Кремлев В.Я., Крупкина Т.Ю., Николаев А.В. Построение цифровых схем на основе элементов конденсаторно-транзисторного типа // Известия вузов. Электроника. 2008, №1.- С. 56-61.

  56. Чаплыгин Ю.А., Артамонова Е.А., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю. Исследование тепловых эффектов и явлений саморазогрева в планарных силовых МОП- транзисторах КНИ-типа // Известия вузов. Электроника. 2008, №2.- С. 52-57.

  57. Chaplygin, Yu.A., Artamonova, E.A., Krasyukov, A.Yu., Krupkina, T.Yu. Study of thermal effects and self-heating phenomena in planar power SOI MOS transistors // Semiconductors. –V. 42. - № 13. - 2008, P. 1522-1526

  58. Крупкина Т.Ю., Лосев В.В., Муханюк Н.Н., Путря М.Г. Автоматизация проектирования библиотек стандартных элементов на основе параметризованных ячеек в САПР Cadence // Известия вузов. Электроника. 2008, №4.- С. 31-35.

  59. Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В., Швец А.В. Анализ влияния формы спейсера в наноразмерных транзисторах на устойчивость к разбросу параметров силицидизации // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции “Новые материалы и технологии” - НМТ-2008 Москва, МАТИ. - С. 9-10.

  60. Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В. Анализ динамических процессов распространения помех в подложках интегральных элементов методами приборно-технологического моделирования // III Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2008».- Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л. Стемпковского. -М.: ИППМ РАН, 2008, с. 179-182.

  61. Чаплыгин Ю.А., Артамонова Е.А., Крупкина Т.Ю. Оценка изменения технологичности наноразмерных транзисторных структур в процессе масштабирования // Тезисы докладов Международной научно-технической конференции “Микроэлектроника и наноинженерия – 2008”.- Москва, 2008. - С. 95-96.

  62. Krupkina T.Y. 3D modeling of different layout SOI MOSFETs under physical parameters degradation // Proc. of IEEE East-West Design & Test Symposium 2007. – Yerevan, Sept., 7-10, 2007.- P. 43-47.

  63. Сhaplygin Y., Korolev M., Krupkina T. The process window TCAD methodology for DFM in the field of deep submicron nodes and nanoscale transistors .// International conference “Micro- and nanoelectronics 2007”.- October 1st –5th, 2007.-Moscow - Zvenigorod, Russia.- P. O1-05.

  64. Krupkina T. The TCAD estimation of electrical stability for different layout SOI MOSFETs.// International conference “Micro- and nanoelectronics 2007”.- October 1st –5th, 2007.-Moscow - Zvenigorod, Russia.- P. O1-06.

  65. Артамонова Е.А., Крупкина Т.Ю., Швец А.В. Определение численных параметров модели рекомбинации с использованием характеристик паразитных транзисторных структур // Труды IX Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». – Ульяновск, 2007. – С. 167. Монографии

  66. Чаплыгин Ю.А., Артамонова Е.А., Балашов А.Г., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю. Моделирование элементов интегральной наноэлектроники. - Нанотехнологии в электронике.- Вып.2. - Под. ред. Чаплыгина Ю.А. // М.: Техносфера, 2013. - 688 с.

  67. Чаплыгин Ю.А., Артамонова Е.А., Балашов А.Г., Ключников А.С., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю. Модели перспективных элементов устройств интегральной наноэлектроники. - Нанотехнологии в электронике.- Вып.3. - Под. ред. Чаплыгина Ю.А. // М.: Техносфера, 2015. - 480 с.


Патенты

  1. Голишников А.А., Жигалов В.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г., Тимошенков В.П… Тимошенков С.П., Чаплыгин Ю.А. Заявка на изобретение № 2015112385 от 07.04.2015 Автоэмиссионный элемент с катодами на основе углеродных нанотрубок и способ его изготовления

  2. Голишников А.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г., Тимошенков В.П., Чаплыгин Ю.А. Прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, расположенных на полупроводниковой подложке, и способ его изготовления. Патент №2579777 от 11.03.2016


Учебно-методические работы

  1. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Под общ. ред. Чаплыгина Ю.А. Ч.1 Технологические процессы изготовления интегральных схем и их моделирование // М., БИНОМ. Лаборатория знаний. - 2014. – электронное издание.

  2. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г., Шевяков В.И. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Под общ. ред. Чаплыгина Ю.А. Ч.2 Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования // М., БИНОМ. Лаборатория знаний. - 2012. – электронное издание.

  3. Артамонова Е.А., Балашов А.Г., Ключников А.С., Козлов А.В., Красюков А.Ю. Под ред. Крупкиной Т.Ю. Лабораторный практикум по курсу «Моделирование в среде TCAD». Ч.2 Приборно-технологическое моделирование элементов интегральных схем // М.: МИЭТ, 2012

  4. Чаплыгин Ю.А., Гаврилов С.А., Рыгалин Б.Н., Крупкина Т.Ю.Особенности организации распределенного процесса обучения магистров при реализации программы инвестиционных проектов ГК «Роснанотех» в области интегральной наноэлектроники Труды международной научно-технической конференции и молодежной школы семинара «Нанотехнологии-2010». – Россия, Дивноморское, 19-24 сентября 2010. – ТТИ ЮФУ, 2010. – Ч. 2. – С. 272 – 273.

  5. Балашов А.Г., Крупкина Т.Ю., Лосев В.В., Старосельский В.И. Учебное пособие по дисциплине «Наноэлектронные устройства и их модели» // М.: МИЭТ, 2011. – 124 с.

  6. Королев М.А., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Активные методы обучения на основе программных средств TCAD // Труды международной конференции «Компьютерное моделирование 2009».- СПтб, 23-24 июня 2009. - С. 200 — 203.

  7. Чаплыгин Ю.А., Гаврилов С.А., Крупкина Т.Ю., Рыгалин Б.Н., Путря М.Г. Программы опережающей подготовки и переподготовки кадров для инвестиционных проектов ГК «Роснанотех» в области интегральной наноэлектроники// Труды международной научно-технической конференции и молодежной школы семинара «Нанотехнологии-2010». – Россия, Дивноморское, 19-24 сентября 2010. – ТТИ ЮФУ, 2010. – Ч. 2. – С. 268 – 269.

  8. Путря М.Г., Крупкина Т.Ю., Лосев В.В., Найда Г.А. Анализ кадровых потребностей проектных компаний, реализующих проекты в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами 90 нм // Труды международной научно-технической конференции и молодежной школы семинара «Нанотехнологии-2010». – Россия, Дивноморское, 19-24 сентября 2010. – ТТИ ЮФУ, 2010. – Ч. 2. – С. 274 – 275.

  9. Чаплыгин Ю.А., Гаврилов С.А., Крупкина Т.Ю., Рыгалин Б.Н. Особенности организации распределенного процесса обучения магистров при реализации программы инвестиционных проектов ГК «Роснанотех» в области интегральной наноэлектроники // Труды международной научно-технической конференции и молодежной школы семинара «Нанотехнологии-2010». – Россия, Дивноморское, 19-24 сентября 2010. – ТТИ ЮФУ, 2010. – Ч. 2. – С. 272 – 273.

  10. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г., Шевяков В.И. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Под общ. ред. Чаплыгина Ю.А. Ч.2 Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования // М., БИНОМ. Лаборатория знаний. - 2009. – 422 с.

  11. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Под общ. ред. Чаплыгина Ю.А. Ч.1 Технологические процессы изготовления интегральных схем и их моделирование // М., БИНОМ. Лаборатория знаний. - 2007. – 397 с.

  12. Королев М.А., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Виртуальное производство интегральных полупроводниковых структур в системе двухуровневой подготовки кадров в области наноинженерии // Труды международной конференции «Cистемы проектирования, технологической подготовки производства и управления этапами жизненного цикла промышленного продукта - CAD/CAM/PDM – 2008».- Москва, 21-23 октября 2008. - С. 132 — 136.

  13. Артамонова Е.А., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Швец А.В. Лабораторный практикум по курсу «Компьютерное моделирование интегральных приборов» Под ред. Т.Ю.Крупкиной. - М., МИЭТ. - 2007. - 108 с.