В работе XIV Международной конференции AMS приняли участие более 140 ученых из 51 организации

В работе XIV Международной конференции AMS приняли участие более 140 ученых из 51 организации

С 29 июня по 3 июля в г. Санкт-Петербурге прошла XIV Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Мероприятие было организовано учеными и сотрудниками ФТИ им. А.Ф. Иоффе, МИЭТ, РГПУ им. А.И. Герцена и СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова.

Конференция объединила более 140 ведущих ученых, разработчиков, специалистов и экспертов для обсуждения достижений и обмена опытом в области материаловедения и технологии аморфных и микрокристаллических полупроводников.

На мероприятии было представлено 62 устных доклада и 48 стендов от представителей ведущих научно-исследовательских, образовательных и коммерческих организаций России, Китая, Казахстана, Республики Беларусь, Швейцарии, Киргизии, Узбекистана, Польши и т.д. География участников из России охватила целый ряд различных регионов: Зеленоград, Екатеринбург, Москва, Нижний Новгород, Новосибирск, Рязань, Санкт-Петербург, Троицк, Пермь и т.д.

В рамках выставочной части конференции были представлены последние разработки и оборудование компаний ООО «Юнигрин Энерджи», ООО «Активная фотоника», АО «НПП «ЭСТО», ООО «Нордлейз», а также цифровая интерактивная киберфизическая модель установки магнетронного распыления, разработанная специалистами Института цифрового дизайна и Института перспективных материалов и технологий в МИЭТе.

Одним из значимых событий программы конференции стал круглый стол, в рамках которого было проведено обсуждение особенностей формирования коллективов для реализации глобальных проектов на примерах запуска нового завода по росту кремния в г. Калининграде, производства микроэлектронной продукции в НПК «Технологический центр» и деятельности Базового центра подготовки кадров для микроэлектроники. В качестве модератора круглого стола выступил зам. директора Института ПМТ и начальник лаборатории НИЛ МУФ Пётр Лазаренко.

Отдельное внимание на конференции было уделено молодым ученым, для которых ведущими отечественными специалистами были представлены 14 лекционных докладов в рамках молодежной школы по фотонике, организованы экскурсии на высокотехнологичные предприятия и лаборатории г. Санкт-Петербурга, а также проведен конкурс лучших научных работ и разработок.

По результатам проведенного конкурса в рамках церемонии закрытия конференции дипломами были отмечены следующие сотрудники и студенты МИЭТ:

- Виктория Пестова – за устный доклад «Перестраиваемые отражающие оптические элементы на основе тонких пленок фазопеременного материала Ge2Sb2Te5 для устройств энергонезависимого отображения информации»;

- Лейла Эль-Хадж и Григорий Миронов – за разработку «Портативной фотолитографической установки»;

- Даниил Гнеушев – за стендовый доклад «Особенности технологии формирования тонких пленок халькогенидных фазопеременных материалов».

Кроме того, председателем организационного и программного комитета Евгением Теруковым были вручены благодарственные грамоты проректору по научной работе Алексею Дронову и сотрудникам лаборатории «Материалы и устройства активной фотоники» МИЭТ за помощь в организации и проведении конференции.

Следует отметить, что следующая международная конференция по данному направлению под названием 2nd International Conference “Functional Chalcogenides: Physics, Technology and Applications” (FunChaPTA-2) будет проводиться в МИЭТ ориентировочно с 29 по 3 июля 2026 года.

Конференция организована в рамках программы развития МИЭТ при поддержке программы стратегического академического лидерства «Приоритет-2030» и лаборатории «Материалы и устройства активной фотоники» МИЭТ (НИЛ МУФ, FSMR-2025-0002).

Также вам может быть интересно Проект Института БМС получил поддержку РНФ
Приемная комиссия 8 800 600-56-89 abit@miee.ru
Контакты для прессы +7 499 720-87-27 mc@miee.ru