Учебный процесс
Учебные дисциплины
Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники (2-ой семестр магистратуры), Герасименко Н.Н.
Волоконно-оптическая связь и фотонные ИС (2-ой семестр магистратуры), Свидзинский К.К.
Вопросы современной физики (2-ой семестр магистратуры), Неволин В.К.
Дискретные приборы и СВЧ ИС на основе гетероструктур арсенида галлия (3-ий семестр магистратуры), Шмелев С.С.
Квантовая статистика (5-ый семестр бакалавриата), Фокин А.Г.
Квантовая теория и статистическая физика (4-ый семестр бакалавриата), Фокин А.Г.
Квантовая теория твердого тела (1-ый семестр магистратуры), Широков А.Е.
Квантовый компьютинг (3-ий семестр магистратуры), Богданов Ю.И.
Кинетические процессы в полупроводниках (6-ой семестр бакалавриата), Корнеев В.И.
Компьютерное моделирование полупроводниковых наноструктур (7-ой семестр бакалавриата), Корнеев В.И.
Математическое моделирование. Методы теоретической и математической физики (1-ый семестр магистратуры), Фокин А.Г.
Методы зондовой микроскопии (7-ой семестр бакалавриата), Неволин В.К.
Методы зондовой нанотехнологии (3-ий семестр магистратуры), Неволин В.К.
Методы измерения параметров наноматериалов и наноструктур (6-ой семестр бакалавриата), Бурзин С.Б.
Методы математического моделирования (6-ой семестр бакалавриата), Корнеев В.И.
Нанотехнологии в электронике (1-3 семестры магистратуры), Неволин В.К.
Наноэлектроника (7-ой семестр бакалавриата), Горбацевич А.А.
Основы нанотехнологии (2-ой семестр бакалавриата, факультет ИнЯз), Бобринецкий И.И.
Пучковые технологии в микро- и наноэлектронике (1-ый семестр магистратуры), Вернер И.В.
Свойства и применение углеродных нанотрубок (3-ий семестр магистратуры), Симунин М.М.
Сканирующая зондовая микроскопия (1-ый семестр магистратуры), Логинов Б.А.
Современные методы исследования квантовых структур (3-ий семестр магистратуры), Горбацевич А.А.
Спецпрактикум (7-ой семестр бакалавриата)
Спинтроника (1-ый семестр магистратуры), Попков А.Ф.
Теоретическая механика и теория поля (2-ой семестр бакалавриата), Фокин А.Г.
Физика конденсированного состояния (6-ой семестр бакалавриата), Попков А.Ф.
Физика конденсированного состояния (факультет ИТС), Мороча А.К.
Физика полупроводников и полупроводниковых приборов (колледж), Широков А.Е.
Физические основы и базовые элементы фотоники (1-ый семестр магистратуры), Свидзинский К.К.
Физические основы квантовой информатики (2-ой семестр магистратуры), Богданов Ю.И.
Физические основы нанотехнологий (3-ий семестр магистратуры), Герасименко Н.Н.
Физические основы полупроводников и микроэлектронной техники (колледж), Широков А.Е.
Физические основы электроники (5-ый семестр бакалавриата), Журавлев М.Н.
Физические основы элементной базы (Колледж), Широков А.Е.
Функциональная микро- и наноэлектроника (2-ой семестр магистратуры), Ильичев Э.А.
Экспериментальные методы исследования (7-ой семестр бакалавриата), Ильичев Э.А.
Электродинамика (6-ой семестр бакалавриата), Фокин А.Г.
Электромагнитные поля и волны (4-ый семестр бакалавриата, МП факультет), Корнеев В.И.
Элементы и приборы наноэлектроники (8-ой семестр бакалавриата), Горбацевич А.А.
Проводятся факультативные занятия для студентов кафедры по курсам:
«Введение в квантовую информатику», рук. - профессор Богданов Ю.И.
Кафедра располагает тремя учебными лабораториями: 1) физики твердого тела и полупроводников (ауд.4120), 2) элементной базы наноэлектроники (ауд.4242), 3) разработки зондовых микроскопов, метрологии и методов измерений (ауд.4130), в которых выполняется 41 лабораторная работа.
Чистая комната, в которой разработан полный технологический цикл изготовления приборов и
схем на основе гетероструктур соединений А3В5.
Установка наноимпринт литографии по созданию масок наноразмерного разрешения.
Лаборатория разработки зондовых микроскопов, метрологии и методов измерений
Список лабораторных работ по курсам кафедры КФН
По курсам «Физические основы электроники» и «Физика конденсированного состояния»
1. Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках (метод спада фотопроводимости).
2. Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда.
3. Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках (метод модуляции проводимости точечного контакта).
4. Определение характеристик структуры металл-полупроводник с помощью вольтфарадного метода.
5. Определение структуры кристаллов с помощью дифракции рентгеновских лучей.
6. Бесконтактный метод измерения удельного сопротивления полупроводников.
7. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников из измерений температурной зависимости электропроводности.
8. Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках методом спада фотопроводимости.
По курсу «Методы измерения параметров наноматериалов и наноструктур»
9. Определение параметров структур металл - диэлектрик - полупроводник методом вольт - фарадных характеристик.
10. Определение профиля легирования полупроводниковых слоев методом вольтфарадных характеристик контакта металл-полупроводник (автоматизированная).
11. Измерение концентрации носителей заряда и подвижности в полупроводниках с помощью эффекта Холла.
12. Определение удельного сопротивления полупроводников 4-х зондовым методом (автоматизированная).
13. Измерение генерационного времени жизни неосновных носителей заряда методом Цербста в МДП структурах (автоматизированная).
14. Измерение профиля легирования слоев специализированных наноструктур с гетеропереходами по вольтфарадным характеристикам тестовых контактов с барьером Шоттки.
15. Измерение удельного сопротивления полупроводников четырехзондовым методом.
16. Измерение концентрации и подвижности носителей заряда методом эффекта Холла.
17. Определение профиля концентрации носителей заряда методом ВФХ контакта металл - полупроводник.
18. Исследование свойств структур МДП методом высокочастотных вольт-фарадных характеристик
По курсу «Электромагнитные поля и волны»
19. Исследование свойств низкотемпературной плазмы с помощью СВЧ – радиоволн.
20. Изучение распространения импульсного сигнала в длинных линиях.
21. Образование и пространственное распределение стоячих волн в передающих линиях.
22. Определение удельного сопротивления пластин кремния бесконтактным методом.
По курсу «Экспериментальные методы исследования»
23. Определение скорости распространения электромагнитных волн в коаксиальном кабеле и в вакууме.
24. Определение массы электрона из ВАХ вакуумного диода.
25. Определение постоянной Больцмана из ВАХ p-n перехода.
26. Определение постоянной Больцмана из тепловых шумов.
По курсу «Методы математического моделирования»
27. Изучение рассеяния электрона на сферическом рассеивателе в борновском приближении.
28. Математическое моделирование гетероструктуры. Движение электрона в системе потенциальных ям и барьеров прямоугольной формы.
По курсу «Квантовая теория и статистическая физика»
29. Свободное движение электрона. Волновой пакет.
30. Туннелирование волнового пакета через прямоугольный барьер.
31. Движение электрона в потенциальной яме.
По курсу «Компьютерное моделирование полупроводниковых наноструктур»
32. Введение в язык программирования TCAD на примере моделирования 1D-диода с резким и плавным p-n переходом.
33. Изучение особенностей сеточных алгоритмов для моделирования 2D структур, на примере полевого транзистора МОП.
34. Использование возможностей системы TCAD для моделирования потенциального профиля гетероструктур GaN/AlGaN.
35. Применение пакета ISE TCAD для расчета 2D и 3D электрических полей со сложной конфигурации электродов.
36. Особенности использования пакета Sentaurus TCAD для моделирования 2D полупроводниковых структур.
37. Моделирование транзистора на эпитаксиальной структуре GaAs со стоп - слоем.
38. Моделирование транзисторов на основе структур типа САГИС.
По курсу «Дискретные приборы и СВЧ ИС на основе гетероструктур арсенида галлия»
39. Определение времени переключения логических элементов с помощью кольцевых генераторов.
40. Измерение сопротивления планарных омических контактов на арсениде галлия.
41. Измерение вольтамперных характеристик туннельно-резонансных диодов.