Беспалов Владимир Александрович доктор технических наук, профессор

Краткая биография

  • Выпускник МИЭТ (1981 г.)
  • Проректор по финансовой и инновационной деятельности (1998-2008 гг.)
  • Проректор по научной и инновационной деятельности (2008-2009 гг.)
  • Первый проректор (2009-2016 гг.)
  • Кандидат технических наук (1991 г.), доктор технических наук (2004 г.), профессор (2013 г.)
  • Награжден орденом Дружбы (2008), медалями. Лауреат премии Президента РФ в области образования (2005 г.). Почетный работник науки и техники РФ
  • C 2016 года – ректор МИЭТ

Член Совета по науке и образованию при Президенте Российской Федерации.

Читаемые курсы

Является руководителем программы магистратуры по направлению 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» программы «Автоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристалле».

Является руководителем аспирантов, разработал модули в рабочей программе по направлению 09.06.01 «Информатика и вычислительная техника», по специальности 05.13.12 «Системы автоматизации проектирования»: «Аппаратное и программное обеспечение САПР ИС и систем на кристалле», «Методы синтеза проектных решений в САПР СБИС и СНК».

Научная деятельность


В.А. Беспалов – специалист в области физики и технологии гетероструктур, элементной базы, микро- и наноэлектроники, устройств микросистемной техники, автор и соавтор более 200 научных работ, из них 5 монографий и 50 авторских свидетельств.

Основные научные результаты В.А. Беспалова:

- исследованы характеристики фоточувствительных слоев твердого раствора арсенида галлия, легированного марганцем и разработаны конструкции и технологии их эпитаксиального роста, разработана и внедрена в производство технология многоэлементных ИК-фотоприемников спектрального диапазона 8-12 мкм с повышенной рабочей температурой и предварительной обработкой сигнала малошумящих усилителей на арсениде галлия;

- решена проблема создания эффективных автоэмиссионных сред для приборов и устройств силовой СВЧ электроники и интегральной эмиссионной электроники субтерагерцового диапазона частот с использованием разработанной технологии изготовления структуры кремний/алмаз/кремний-углеродный туннельнопрозрачный проводящий слой с массивами микроострий на гетерогранице кремний/алмаз;

- разработаны технологии по изготовлению сложных (с элементами и оптической близости) бинарных и фазоздвигающих фотошаблонов уровня 130 нм;

- разработаны принципы конструирования и технологии семейства тепловых МЭМС датчиков, создано их производство на пластинах диаметром 150 мм.

В.А. Беспалов организовал и руководит ЦКП МИЭТ по производству изделий микросистемной техники и приборов на сложных полупроводниках.

Основные научные публикации В.А. Беспалова:

- Беспалов В.А. Пазл для имплантируемой искусственной почки / В.А. Беспалов, С.В. Селищев // МЕДИЦИНСКАЯ ТЕХНИКА. - М. : Медицина, 2021. - № 1. - С. 1-4.

- Особенности характеристик солнечно-слепых электронно-оптических преобразователей с алмазными фотокатодами / В.А. Беспалов, Э.А. Ильичев, И.П. Казаков [и др.]// ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. - СПб. : Наука, 2021. - № 9. - С. 3-6.

- Нормально-закрытый транзистор с затвором -типа на основе гетероструктур AlGaN/GaN / В.И. Егоркин, В.А. Беспалов, А.А. Зайцев [и др.]// ИЗВЕСТИЯ ВУЗОВ. ЭЛЕКТРОНИКА. - М. : МИЭТ, 2020. - № 5. - С. 391-401.

- Patyukov, N. N., Demin, G. D., Filippov, N. A., Djuzhev, N. A., Makhiboroda, M. A., &Bespalov, V. A. (2020, July). A Study of Field Electron Emission in a Nanoscale Air-Channel Silicon Diode.In 2020 33rd International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) (pp. 1-2).IEEE.

- Evsikov, I. D., Demin, G. D., Glagolev, P. Y., Djuzhev, N. A., Makhiboroda, M. A., Bespalov, V. A., ... & Popov, E. O. (2020, July). Circuit Models of Field Emission Silicon Diode and Transistor with a Nanoscale Vacuum Channel.In 2020 33rd InternationalVacuumNanoelectronicsConference (IVNC) (pp. 1-2). IEEE.

- Коршунов А.В., Булах Д.А., Беспалов В. А. "ПРОЕКТИРОВАНИЕ СЕТИ ПИТАНИЯ ТРЕХМЕРНЫХ ИНТЕГРИРОВАННЫХ СИСТЕМ В КОРПУСЕ " «Инноватика в современном мире: опыт, проблемы и перспективы развития», Национальная конференция с международным участием сб. трудов, 2020

- Дюжев Н.А., Демин Г.Д., Филиппов Н.А., Евсиков И.Д., Глаголев П.Ю., Махиборода М.А., Чхало Н.И., Салащенко Н.Н., Филиппов С.В., Колосько А.Г., Попов Е.О., Беспалов B.A. Разработка технологических принципов создания системы микрофокусных рентгеновских трубок на основе кремниевых автоэмиссионных нанокатодов //Журнал технической физики. – 2019. – Т. 89. – №. 12. – С. 1836-1842.,

- N. A. Djuzhev, G. D. Demin, N. A. Filippov, I. D. Evsikov, P. Yu. Glagolev, M. A. Makhiboroda, N. I. Chkhalo, N. N. Salashchenko, S. V. Filippov, A. G. Kolosko, E. O. Popov & V. A. Bespalov. Development of Technological Principles for Creating a System of Microfocus X-Ray Tubes Based on Silicon Field Emission Nanocathodes. Tech. Phys. 64, 1742–1748 (2019).

- Беспалов В. А., Капранов Н. В., Трифунович Л Союз инновационно-технологических центров России - партнер Фонда в части ресурсного обеспечения малого инновационного предпринимательства Российской Федерации. Беспалов В.А. (Автор МИЭТ, ПКИМС, Союз ИТЦ России, Зеленоград). // ИННОВАЦИИ. - СПб. : Трансфер, 2019. - № 2. - С. 124-129.

- Конференция по разработкам в области технологии Minimal FAB, 2019 г.

- Беспалов В.А. Для подготовки специалистов будущего вузу необходима развитая производственная и инновационная инфраструктура// ЭЛЕКТРОНИКА: НАУКА. ТЕХНОЛОГИЯ. БИЗНЕС. - М. : Техносфера, 2019. - № 7. - С. 10-15.